direkt zum Inhalt springen

direkt zum Hauptnavigationsmenü

Sie sind hier

TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Frühere Forschung: Wachstumskinetik auf Festkörperoberflächen

Durch moderne Wachstumstechniken (z.B. MBE, MOCVD) können mit hoher Präzision künstliche Nanostrukturen, z.B. auf Halbleiteroberflächen, hergestellt werden. Das kinetische Verhalten von Atomen während des epitaktischen Wachstums wird im Rahmen von Monte-Carlo-Simulationen studiert. Besonderes Augenmerk gilt dem Einfluß eines elastischen Verspannungsfeldes, das die selbstorganisierte Bildung von Inseln (Quantenpunkten) im Stranski-Kranstanov-Wachstumsmodus verursacht. Weiterhin werden räumliche Korrelationseffekte sowie die Oberflächenrauigkeit von optischen Multischichtsystemen simuliert. Ausserdem untersuchen wir Kontrolle von Oberflächenmorphologien durch zeitverzögerte Rückkopplung und die Dynamik von Tumorwachstum.

 

Kooperationen:

 

 

Zusatzinformationen / Extras

Direktzugang

Schnellnavigation zur Seite über Nummerneingabe

Diese Seite verwendet Matomo für anonymisierte Webanalysen. Mehr Informationen und Opt-Out-Möglichkeiten unter Datenschutz.